Ученые в Новосибирске создали самую быструю флешку в мире

Ученые Института физики полупрводников им. Ржанова в Новосибирске разработали флеш-память на основе графена. Это стало возможным благодаря применению неповторимых компонентов устройства.

Профессионалы из новосибирского Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова сделали непонятное изобретение — самую быструю в мире флешку.

В то же время для индустриального производства похожей флеш-памяти необходимо строительство завода стоимостью в 5 млрд долларов. В частности, ученые изучили принцип ее действия на основе инжекции (впрыскивания) и хранения электрического заряда в запоминающей среде (мультиграфене), передает печатное издание «Наука Сибири». 1-ый делается из оксида кремния, а 2-ой — из высокопроницаемого диэлектрика. Кроме того мультиграфен дольше сохраняет записанную на него путем впрыскивания электрического разряда информацию.

Говорить о масштабном производстве флеш-памяти на основе мультиграфена пока рано. Это предоставляет возможность улучшить геометрию флеш-памяти, например, использовать не менее тонкий туннельный слой. Пока осуществляются только фундаментальные исследования. Для коммерческого использования требуется завод с современными разработками стоимостью около $5 млрд, сообщил старший научный сотрудник Института Юрий Новиков.

29.08.2016 10:14